本網訊  10月21日，華磊光電博士后科研工作站梁萌博士的出站答辯會議在北京中科院半導體研究所舉行。中科院半導體照明研發(fā)中心主任王軍喜研究員、副主任伊曉燕研究員等5位評審專家出席了答辯會，半導體所研究生部主任祝素娜主持答辯，華磊光電公司總工程師季輝、副總工程師苗振林參加了會議。

梁萌博士在博士后科研工作期間，利用華磊光電公司的MOCVD外延設備，以石墨烯等二維材料為緩沖層在石英等多種襯底上進行氮化物材料外延，開展了石墨烯緩沖層上的成核機理研究和工藝探索，取得了多項技術創(chuàng)新成果：通過石墨烯緩沖層技術，在非晶襯底上實現了高質量氮化物納米柱生長；在非晶襯底上實現了氮化物薄膜生長，率先采用MOCVD在非晶襯底上成功實現了平面量子阱結構，內量子效率達到48%，查新結果表明，該參數為國際最高水平。

梁萌博士的研究工作具有重要的科學價值，有望成為氮化物制備的顛覆性技術，在大尺寸低成本材料制備、柔性發(fā)光顯示等領域具有廣闊的應用前景。經答辯委員會評審專家無記名投票，一致通過梁萌的博士后出站答辯。